DS1245W-100 备选型号: AS6C4008-55PIN
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- JESD-609代码
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- 电压 - 供电
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- 访问时间(最大)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Reach合规守则
- IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP11 WeeksTin通孔通孔32-DIP Module (0.600, 15.24mm)32Non-Volatile0°C~70°C TATube2004e3yes活跃1 (Unlimited)323A991.B.2.A10 YEAR DATA RETENTION8473.30.11.403V~3.6VDUAL13.3V2.54mm100GHzDS1245W323.3V3.6V3V1Mb 128K x 850mANVSRAMParallel8b128KX88100ns1 Mb0.00025A100 nsUnknown无ROHS3 Compliant无铅-
- SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM8 Weeks--通孔32-DIP (0.600, 15.24mm)32Volatile-40°C~85°C TATube2009-yes活跃1 (Unlimited)----2.7V~5.5V----------4Mb 512K x 8-SRAMParallel---55ns-----ROHS3 Compliant-unknown
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DS1245Y-70 | Maxim Integrated | 存储器 | 32-DIP Module (0.600, 15.24mm) | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-70 NVSRAM, 1024KBIT, 128KX8, 32EDIP | 对比 |
![]() | DS1245Y-70IND | Maxim Integrated | 存储器 | 32-DIP Module (0.600, 15.24mm) | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | 对比 |
![]() | DS1230AB-100 | Maxim Integrated | 存储器 | 28-DIP Module (0.600, 15.24mm) | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | 对比 |





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